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S波段下变频器的电磁辐射干扰产生及抑制
发布时间：2021-06-30 来源：《工程与试验》2021年第2期浏览次数：445
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作者：裴菊静
单位：西安苏试广博环境可靠性实验室有限公司，陕西西安 710077
摘要：基于ADI公司推出的HMC830频率合成芯片，设计了S微波段下变频器。针对HMC830本振输出的谐波干扰，给出了电磁辐射产生的原因及其改进措施。
关键词：HMC830；下变频器；谐波干扰；频率合成；电磁干扰
中图分类号: TN773 文献标识码: A doi：10.3969/j.issn.1674-3407.2021.02.024
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